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Palabras clave [ hermetic electrical header ] partido 19 productos.
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Comunicación Óptica Civ To46/To56/ To18/To39/To60/To68/To5
| Modelo NO.: | TO46 |
|---|---|
| Personaje: | Sellado herméticamente |
| Aplicación: | Conducción eléctrica, transmisión de señales eléctricas, comunicación fotoeléctrica |
Aislador de RF para Comunicación Óptica, Aislador de CC y Conector de Pin para Electrónica
| Modelo NO.: | Paquetes electrónicos |
|---|---|
| Personaje: | Sellado herméticamente |
| Materiales de sellado: | Aleación Kovar/Tungsteno-Cobre |
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To46/To56/To18/To39/To60/To68/To5 Comunicación óptica y sensor con el enchufe de Serires
| Modelo NO.: | Paquetes electrónicos |
|---|---|
| Aplicación: | Conducción eléctrica, transmisión de señales eléctricas, comunicación fotoeléctrica |
| Personaje: | Sellado herméticamente |
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Sensor Infrarrojo TO5, Aislador RF, Aislador DC y Conector de Pines para Campos de Instrumentación
| Modelo NO.: | Paquetes electrónicos |
|---|---|
| Personaje: | Sellado herméticamente |
| Aplicación: | Conducción eléctrica, transmisión de señales eléctricas, comunicación fotoeléctrica |
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Paquete de fibra óptica tipo To-46/to-56/ To-18/to-39/F11/to-5/to - Para fotomodulador
| Modelo No.: | Paquetes electrónicos |
|---|---|
| Personaje: | Sellado herméticamente |
| Proceso de producción: | El presionar frío |
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Material de sellado para comunicación óptica To46-06A para uso civil
| Modelo NO.: | TO46 |
|---|---|
| Personaje: | Sellado herméticamente |
| Aplicación: | Conducción eléctrica, transmisión de señales eléctricas, comunicación fotoeléctrica |
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4j29 Ni29co17 Kovar WIRE aleación de precisión Invar36 4j42 hierro níquel alambre de expansión constante
| Modelo no.: | Aleación de la extensión |
|---|---|
| Código del SH: | 7505220000 |
| Purificación: | De aleación |
4J29 Hoja de aleación Kovar para sellado de vidrio a metal ASTM F15
| Model NO.: | Aleación de la extensión |
|---|---|
| Paquete de transporte: | DIN bobina, cartón, estuche de madera |
| Código del SH: | 7505220000 |
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4J42 alambre de aleación de baja expansión para dispositivos de vacío y sellos de semiconductores
| CTE (coeficiente de expansión térmica, 20 ∼ 300 °C): | 5.5·6.0 × 10−6 /°C |
|---|---|
| Densidad: | 8.1 g/cm3 |
| Resistividad Eléctrica: | 0.75 μΩ·m |